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以激光沉積法制備高純氧化鋁薄膜
發(fā)表時間:2023-04-18
激光沉積法是一種制備高質(zhì)量、高純度氧化鋁薄膜的有效方法。以下是制備高純氧化鋁薄膜的基本步驟:
1.準(zhǔn)備基底:選擇適當(dāng)?shù)幕撞牧希ζ溥M(jìn)行清洗和處理,以去除表面污染物和氧化物。
2.準(zhǔn)備靶材:選擇高純度氧化鋁靶材,并在真空條件下進(jìn)行處理和預(yù)燒,以去除表面污染物和氧化物。
3.制備真空環(huán)境:將制備好的基底和氧化鋁靶材放置在真空室中,通過抽氣和充氣等方式建立所需的真空環(huán)境。
4.激光沉積:利用激光脈沖對氧化鋁靶材進(jìn)行瞬間加熱,使其蒸發(fā)并沉積在基底表面形成氧化鋁薄膜。
5.薄膜后處理:在沉積過程中,可控制沉積速率、溫度、氣體流量等參數(shù),以得到所需的氧化鋁薄膜厚度和結(jié)構(gòu)性質(zhì)。后續(xù)可進(jìn)行退火和氧化等處理,以改善薄膜質(zhì)量和純度。
在實(shí)際制備過程中,還需注意選擇適當(dāng)?shù)募す饽芰亢皖l率、靶材和基底的距離、氣壓等參數(shù),以確保薄膜的質(zhì)量和穩(wěn)定性。此外,應(yīng)注意減少外界環(huán)境對實(shí)驗(yàn)的影響,以保證薄膜的高純度。
1.準(zhǔn)備基底:選擇適當(dāng)?shù)幕撞牧希ζ溥M(jìn)行清洗和處理,以去除表面污染物和氧化物。
2.準(zhǔn)備靶材:選擇高純度氧化鋁靶材,并在真空條件下進(jìn)行處理和預(yù)燒,以去除表面污染物和氧化物。
3.制備真空環(huán)境:將制備好的基底和氧化鋁靶材放置在真空室中,通過抽氣和充氣等方式建立所需的真空環(huán)境。
4.激光沉積:利用激光脈沖對氧化鋁靶材進(jìn)行瞬間加熱,使其蒸發(fā)并沉積在基底表面形成氧化鋁薄膜。
5.薄膜后處理:在沉積過程中,可控制沉積速率、溫度、氣體流量等參數(shù),以得到所需的氧化鋁薄膜厚度和結(jié)構(gòu)性質(zhì)。后續(xù)可進(jìn)行退火和氧化等處理,以改善薄膜質(zhì)量和純度。
在實(shí)際制備過程中,還需注意選擇適當(dāng)?shù)募す饽芰亢皖l率、靶材和基底的距離、氣壓等參數(shù),以確保薄膜的質(zhì)量和穩(wěn)定性。此外,應(yīng)注意減少外界環(huán)境對實(shí)驗(yàn)的影響,以保證薄膜的高純度。
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