在第二代半導體中，砷化鎵（GaAs）被認為目前*成熟的化合物半導體材料之一，與硅（Si） 相比，具有禁帶寬（1.42eV）、電子遷移率高（8500 cm2/V·s）、電子飽和漂移速度高、能帶結(jié)構(gòu)為直接帶隙等特性，常用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等，其相關(guān)器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點，因此受到通信領域和國防與航空航天領域的重視。
       

 異丙醇不過在自然界中并不存在砷化鎵晶體，它屬于人工晶體材料的一種，其多晶合成和單晶生長技術(shù)的實現(xiàn)都需要依賴于單質(zhì)砷、鎵的物理化學反應。在這個過程中，原材料的純度越高，就越能顯示出材料的本征特性，材料的應用價值也能更好地發(fā)揮出來，在半導體領域更是如此，目前用于制備半導體材料砷化鎵的單質(zhì)砷的純度多為99.9999%（6N）和99.99999%（7N）。

   高純砷技術(shù)方面的高要求，導致全世界只有少數(shù)發(fā)達國家能夠穩(wěn)定生產(chǎn)高純砷。不過由于電子信息制造業(yè)的飛速發(fā)展，砷化鎵等材料也受到了利好驅(qū)動，因此高純砷的制備技術(shù)正隨著砷化鎵需求的增加而飛速發(fā)展。 如果您想對這方面深入了解的話，在“2021全國高純粉體與晶體材料創(chuàng)新發(fā)展論壇”上， 揚州中天利新材料股份有限公司的技術(shù)副總李顯坪先生將為我們帶來題為《99.99999%(7N)高純砷制備技術(shù)及其砷化鎵半導體晶體的應用》的報告。